三星称将在美国击败台积电 4 纳米产能,明年底开始大批量生产
此外,三星有望于 2024 年底前在美国开始大规模生产采用 4 纳米级工艺技术的芯片,领先于台积电位于亚利桑那州的 Fab 21 工厂。
据《韩国先驱报》报道,三星联合首席执行官 Kyung Kye-hyun 在首尔国立大学的一次特别演讲中表示,三星代工厂对其在半导体市场的地位持乐观态度,并准备比以前更积极地挑战台积电。
三星即将在美国得克萨斯州泰勒附近建立的晶圆厂,将是该公司多年来在美国的第一座领先生产设施,三星对其寄予厚望,将使其能够满足美国众多客户的需求,并挑战英特尔和台积电的代工厂服务。
报道称,如果一切按计划进行,三星 4 纳米级工艺技术(SF4E、SF4、SF4P、SF4X 和 SF4A)的新工厂将于 2024 年底开始大批量生产。虽然这很难对代工市场产生立竿见影的影响,但三星可以说它凭借美国的 4 纳米工艺击败了台积电。
不过,三星代工仍将落后于英特尔代工服务,后者计划于 2024 年开始在其 20A(2 纳米级)节点上生产芯片,并于 2024 年至 2025 年开始在 18A(1.8 纳米级)节点上生产芯片。
TrendForce 数据显示,三星代工厂在代工芯片制造市场上的市场份额从第一季度的 9.9% 飙升至 2023 年第二季度的 11.7%,收入达到 32.34 亿美元(备注:当前约 237.05 亿元人民币),高于第一季度的 27.57 亿美元。虽然台积电保持了主导地位,但其市场份额下降至 56.4%,营收为 156.56 亿美元。
▲ 图源 TrendForce 集邦咨询
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